1. 研究目的与意义
第三代半导体材料氮化镓天生又有宽带隙、高电子迁移率、耐的住高压等优良特性，在功率半导体应用市场具有得天独厚的优势，因此氮化镓也成为了极端环境中大功率器件的首选材料，基于氮化镓材料的高电子迁移率晶体管，通过氮化镓材料的极化效应，在AlGaN/GaN异质结界面积累二维电子气进而形成横向导电沟道。导电沟道中的二维电子气具有高电子迁移率等优异的电学特性，这种优良的电学特性使得AlGaN/GaN HEMT器件在高频和高功率的功率器件领域具有广泛的应用前景。本文对硅衬底上氮化镓材料特性及其生长材料和生长技术做出了简要的综述，然后结合当前对氮化镓基功率器件的研究热点，氮化镓基功率器件所具备的主流的器件结构铝氮化镓/氮化镓HEMT，对它们的结构原理并且对器件制备工艺的条件优化方面分别做出简要概述，为了成功制备出增强型铝氮化镓/氮化镓HEMT功率器件，文章例举出氮化镓基功率器件的多种结构以及工艺技术，并对本文中提到的欧姆接触制造的工艺技术进行优化总结，以实现增强型功率器件制备。
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2. 研究内容和问题
研究目标：通过改变硅衬底GaN-LED特性参数，如In组分的改变、阱垒对数的调整、电子阻挡层的有无观察其对LED发光特性的影响，从而进一步改善LED发光特性。
解决的关键问题：(1)深入分析硅基GaN-LEDs的器件结构和相关参数；(2) 仿真时的电流电压控制在合适的范围内。
3. 设计方案和技术路线
研究方法：
优化并且分析不同退火温度对接触电阻值的影响机理，以及对欧姆接触几何形貌形成的优劣。
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4. 研究的条件和基础
能够对半导体物理和器件等有比较深刻的理解，对器件结构有所理解；能够对实验结果做出合理的分析。
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